2025年1月20日、株式会社ANSeeNは、総額5億円の資金調達を実施したことを発表しました。

ANSeeNは、静岡大学の技術である化合物半導体放射線センサーの製造技術をコアとして、2011年に設立した大学発ベンチャーです。

放射線を効率的に検知できる化合物半導体センサのCdTeの性能を最大限に発揮する製造プロセス技術、放射線の光子を1つずつ検知可能なフォトンカウンティング回路、大面積化を可能にする高精度タイリング技術の3つのコア技術を組み合わせ、革新的な放射線センシングデバイスの実現を目指しています。

化合物半導体を用いた直接変換型X線センサを独自のデバイス構造と実装プロセスにより実現し、微細ピクセル構造を持った異種半導体を積層する3次元実装を活用した量産技術の確立に成功しています。

この技術は、X線カメラだけでなく、Siデバイスだけでは実現できないニーズに対応した半導体デバイスの製造を可能にするものです。

ANSeeNはこの技術を実装したサプライチェーンを構築し、次世代デバイスの設計から製造までを受託するターンキー事業の提供を目標としています。

2025年1月20日、株式会社ANSeeNは、総額5億円の資金調達を実施したことを発表しました。

ANSeeNは、静岡大学の技術である化合物半導体放射線センサーの製造技術をコアとして、2011年に設立した大学発ベンチャーです。

放射線を効率的に検知できる化合物半導体センサのCdTeの性能を最大限に発揮する製造プロセス技術、放射線の光子を1つずつ検知可能なフォトンカウンティング回路、大面積化を可能にする高精度タイリング技術の3つのコア技術を組み合わせ、革新的な放射線センシングデバイスの実現を目指しています。

化合物半導体を用いた直接変換型X線センサを独自のデバイス構造と実装プロセスにより実現し、微細ピクセル構造を持った異種半導体を積層する3次元実装を活用した量産技術の確立に成功しています。

この技術は、X線カメラだけでなく、Siデバイスだけでは実現できないニーズに対応した半導体デバイスの製造を可能にするものです。

ANSeeNはこの技術を実装したサプライチェーンを構築し、次世代デバイスの設計から製造までを受託するターンキー事業の提供を目標としています。

今回の資金調達により、化合物半導体とCMOSの3次元積層構造による大面積X線カラーカメラの量産を進めます。

センシング技術はさまざまな領域で重要な役割を果たすテクノロジーです。

なかでもX線画像検査は対象物を破壊することなく画像を取得できる有用な技術です。この技術は対象物を透過して見ることができるため、食品や、工業製品、医療などさまざまな分野で活用されています。

しかしながら、既存のX線画像検査技術は検出能力においていくつかの課題を抱えています。たとえば、これまでのX線検査装置は、ガラス、石、骨などの密度の低い遺物に対して検出能力が低下してしまうという課題があります。ほかにも、凹凸があったり対象物が粒であったりする場合は誤検出が頻発するため感度を落とす必要があるのですが、これによって異物の検出が漏れてしまうという課題があります。

ANSeeNのセンサーはこれまでよりも高精細な画像かを可能としているほか、X線の波長を見分けることができるため、材料識別を実現することが可能です。

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