SiC（炭化ケイ素）半導体を活用した次世代パワーデバイスの製品開発を行う「ネクスファイ・テクノロジー」に「荏原実業」が出資

2023年6月30日、荏原実業株式会社は、ネクスファイ・テクノロジー株式会社に出資したことを発表しました。

ネクスファイ・テクノロジーは、大阪大学吹田キャンパス内に所在するスタートアップで、炭化ケイ素（SiC）半導体を活用した次世代パワーデバイスの製品開発を行っています。

SiC半導体をスイッチングモジュールに適用し、新たな産業技術の創出や、高電圧機器など既存装置の性能向上を目指した製品開発を行っています。

荏原実業は、環境関連機器の製造販売や、上下水道施設等のエンジニアリングサービスを手がけています。

半導体は、電気を通す導体と電気を通さない絶縁体の中間に位置する物質であり、特定の条件下で電気を通したり通さなかったりする伝導特性を持っています。

ほとんどの電子部品は半導体を利用していることから、半導体は私たちの生活や産業を支えている重要な存在となっています。

半導体の原材料としては、Si（シリコン）が長らく利用されてきましたが、近年は性能向上のため、SiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）やGaN（窒化ガリウム）を利用した半導体も登場しています。

SiCはSiと比べて圧倒的に電圧への耐性が高く、高い耐圧を持ちながら抵抗を小さくできることから、従来のSiよりも大幅にエネルギーの効率が良くなります。また他にも、高速動作、高温動作が可能であり、より幅広い領域での適用や、モジュールの簡素化・小型化を実現できます。

とくにSiCはパワー半導体（パワーデバイス）において大きなメリットがあります。パワー半導体とは、電源などの電力の制御や変換を担う電子部品です。たとえば、家電、電気自動車、データセンター、電力系統など、電力変換を必要とする幅広い場所で利用されています。

パワー半導体は、今後さらに増加すると考えられる太陽光発電設備や、EV用の急速充電器、EV駆動用のインバーターなどにも多く使われていることから、市場規模の拡大が予測されています。

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