新規次世代半導体（GeO₂半導体）を開発する「Patentix」7.19億円調達

2025年10月3日、Patentix株式会社は、総額約7億1900万円の資金調達を発表しました。

Patentixは、新規次世代半導体（GeO₂半導体）の研究開発とその製造販売を手がける立命館大学発スタートアップです。

今回調達した資金は、研究開発の加速、製造体制およびサンプル出荷の強化、人材採用の強化、市場展開・産業応用の推進に活用します。

パワー半導体は、電力の制御・変換を担う電子部品です。家電や電気自動車、データセンター、送配電網など、あらゆる電力システムに不可欠であり、近年は太陽光発電設備やEV急速充電器、インバーター用途での需要が急速に拡大しています。

かつて半導体材料の主役だったのはシリコン（Si）ですが、高耐圧化や低損失化といった性能向上を目指して炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）といった新素材が実用化されています。そして次世代のパワー半導体として、酸化ガリウム（Ga₂O₃）、窒化アルミニウムガリウム（AlGaN）、ダイヤモンドなどが新たな材料として注目されています。

こうした流れの中で、Patentixが研究開発を進める二酸化ゲルマニウム（GeO₂）半導体は、低損失化・小型化・高耐圧化を同時に実現できる高性能材料として期待されています。従来材料では難しかった宇宙用や耐放射線用パワーデバイスへの応用が可能であるうえ、製造コストを抑えられる点も大きな強みとなっています。

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