超高耐圧SiC半導体開発に取り組む「UJ-Crystal」が4.3億円調達

2026年7月31日、株式会社UJ-Crystalは、総額4億3000万円の資金調達を発表しました。

UJ-Crystalは、AIデジタルツインを活用し、溶液成長法により超高耐圧p型SiC半導体基板用ウェハの開発に取り組んでいます。

今回調達した資金は、超高耐圧p型SiC半導体基盤用ウェハの開発加速に活用します。

パワー半導体は、電力の変換や制御を担う半導体であり、電気自動車や再生可能エネルギー設備、産業機器など幅広い分野で利用されています。近年は脱炭素化や電動化の進展に伴い、電力をより効率的に制御できる次世代パワー半導体への需要が急速に高まっています。なかでも、従来のシリコンを上回る性能を持つ炭化ケイ素（SiC）は、高耐圧・低損失・高温動作を実現できる材料として注目されています。

一方で、次世代パワー半導体の普及には、高品質なSiC基板の安定供給や製造コストの低減が大きな課題です。そのため、高品質な結晶を効率的に製造できる技術の確立が求められています。

UJ-Crystalは、こうした課題の解決に向け、独自の溶液成長法を用いた超高耐圧p型SiC半導体基板用ウェハの開発に取り組んでいます。高品質なSiCウェハの実用化が進めば、次世代パワー半導体の性能向上や普及を後押しし、電力利用のさらなる効率化や脱炭素社会の実現への貢献が期待されます。

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